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Si 晶片內部檢查檢測用近紅外鹵素光源SIS-150 -NIR介紹

Si 晶片內部檢查檢測用近紅外鹵素光源SIS-150 -NIR介紹

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SIS-150 (-NIR / -AIR)
近 紅外線照射裝置

在近紅外線區域具有峰值的光纖光源裝置。
通過使用專用光學系統和對近紅外區域具有靈敏度的相機,它
非常適合非破壞性檢查,例如 Si 晶片的內部檢查和背面圖案的觀察。

專用選件
* 可加裝波長選擇帶通濾波器
* 可加裝機械快門 * 可加裝
256級數字調光板
 * 模數調光板(控制電壓(0-5V))
 * 并聯調光板(并行8bit數字信號))
 * 串口調光板(RS232C串口8bit數字信號)

模型SIS-150-NIRSIS-150-AIR
額定輸入電壓AC100-240VAC100-240V
額定輸入頻率50 / 60Hz50 / 60Hz
照明方式直流點燈方式直流點燈方式
光強調節可變輸出電壓 可變
電壓范圍:DC2V 至 15V
可變光強度范圍:0.1% 至 100%
可變輸出電壓 可變
電壓范圍:DC2V 至 15V
可變光強度范圍:0.1% 至 100%
保護功能過流保護電路(重新上電恢復)
過熱保護電路(自動恢復)
過流保護電路(重新上電恢復)
過熱保護電路(自動恢復)
冷卻方式強制風扇冷卻強制風扇冷卻
工作溫度/濕度0℃-40℃/20%-80%RH(但無冷凝)0℃-40℃/20%-80%RH(但無冷凝)
功能燈斷信號輸出:集電極/發射極開路
模擬信號電壓調光:DC0-5V輸入
遠程燈ON/OFF:通過施加DC5V關閉
燈斷信號輸出:集電極/發射極開路
模擬信號電壓調光:DC0-5V輸入
遠程燈ON/OFF:通過施加DC5V關閉
外形尺寸W124 x H165 x D224 mm(尺寸不包括突出部分)W124 x H165 x D224 mm(尺寸不包括突出部分)
重量約2.7公斤約2.7公斤
照射波長400-1100nm400-1700nm
峰值波長800nm1000nm
光導標準規格專用耐熱光導


近紅外鹵素光源
近紅外鹵素光源
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